LCVCO基本原理与仿真部分请至https://vonrobert.com/2025/01/09/LC-VCO/index.html

原理图

差分管尾部加上尾电感、电容
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L、C的理论取值

由于LC并联在2Fo处为高阻，所以首先取Ltail@Fo为L/2，即250pH左右，且在Fo处的Q值接近。然后推算出C的初始值为275fF，扫描C值与Z11，如下图所示，在2Fo=19.6GHz高阻时，C=265fF。
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尾部2Fo谐振腔对相噪的影响

理论上尾部2w0谐振腔仅减少闪烁噪声
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根据之前的计算带入到电路中，按照如下步骤进行：
（1）VCO只添加电感，扫描电感值。
（2）固定电感240pH，加入电容，相噪随尾电容变化曲线。
（3）固定电容265fF，二次谐波随尾电感变化曲线。
结果会发现相噪随频率变化的谷值并未出现在计算的谐振点。而且以上分析过于理想，在实际版图中，VCO的共模信号并非直接通过尾谐振腔流向GND。

版图级VCO的共模回路

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提出问题

①毫米波频段VCO版图中VDD到VSS的距离过远，引入寄生电感过大；
②如果采用尾部2nd谐波滤波结构，很难将等效电感值做小；

版图优化：降低封装的影响

①减少decap走线寄生，减少VDD和VSS的物理距离；给尾电感留有一定优化空间；
②VDD到VSS的左右decap路径，保持对称；减少封装寄生电感带来的影响；

如这篇文献中的layout，在电感内部，电源中心抽头VDD通过decap连接到负阻管的VSS

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在减少VDD到VSS的寄生后，扫描尾电感与尾电容，可以看到预期中的相噪谷值随尾电容电感的变化
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当然，最后还需要带入封装文件联仿，尽可能接近实际电路工作情况。

参考文献

[1]A Low-Flicker-Noise 30-GHz Class-F23 Oscillator in 28-nm CMOS Using Implicit Resonance and Explicit Common-Mode Return Path” JSSC2018