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Current-biased和Voltage-biased结构比较Voltage-biased结构的Q值衰退Voltage-biased结构VCO工作时，一边MOS管进入线性区，瞬态阻抗Ron小于Rp，降低LC tank的Q值  仿真tb：电流相同，谐振频率相同，分别采用Current-biased和Voltage-biased结构  工作波形：Voltage-biased结构，一个管子处于线性区，另一个处于亚阈值区，Ron小于Rp，Q值降低；    Current-biased结构，一个管子处于饱和区，另一个处于亚阈值区，Ron远大于Rp，Q值保持不变；    具体表现为，相同bias电流和VCO谐振频率下，Voltage-biased结构的相噪更差  ...

NMOS_Only和CMOS结构比较差分输出信号幅度：效率：  NMOS结构，满摆幅A=2VDD  差分输出信号幅度：效率：  CMOS结构，满摆幅A=VDD；对应本项目中NMOS Only结构，电源为0.6V，如果修改为CMOS结构，电源为0.9V，相同输出摆幅下两者效率仅在满摆幅的时候，效率相等，小于满摆幅时，CMOS结构的效率更高。其他对比： 相同偏置电流和LC tank（Rp）情况下，CMOS结构可以达到更大的摆幅，更好的相噪和效率； 当CMOS结构和NMOS Only结构同时达到各自最大摆幅时，NMOS Only结构有更好的相噪。  CMOS和NMOS结构的仿真Efficiency vs. Vrms曲线如下所示，CMOS满摆幅时的V_rms=0.9÷√2≈0.636V，NMOS满摆幅时的V_rms=1.2÷√2≈0.848V，此时两种结构对应的效率相等，约63%；相同摆幅下，CMOS结构效率更高。   ①两者各自满摆幅：CMOS满摆幅900mV时，Ibias为7.2mA，谐振频率8.021GHz，此时的对应的相噪为...

LCVCO的温度补偿在进行LCVCO设计时，需要考虑温度变化导致的频率偏移，保证在连续温度变化过程中，PLL不需要重新校准，一直保持锁定，温度补偿结构因此而来。个人认为LCVCO的温度补偿常用的有两种，分别是开环补偿和闭环补偿： 开环温补指温度变化引起Vtemp电压的变化，进而补偿频率。 闭环温补指温度变化引起频率变化或者Vtune电压变化，频率变化或者Vtune电压变化的信息反馈到Vtemp，进而补偿频率。 开环温补开环温补的流程图如下所示 ...

LCVCO基本原理与仿真部分请至https://vonrobert.com/2025/01/09/LC-VCO/index.html 原理图差分管尾部加上尾电感、电容 L、C的理论取值由于LC并联在2Fo处为高阻，所以首先取Ltail@Fo为L/2，即250pH左右，且在Fo处的Q值接近。然后推算出C的初始值为275fF，扫描C值与Z11，如下图所示，在2Fo=19.6GHz高阻时，C=265fF。 尾部2Fo谐振腔对相噪的影响理论上尾部2w0谐振腔仅减少闪烁噪声根据之前的计算带入到电路中，按照如下步骤进行：（1）VCO只添加电感，扫描电感值。（2）固定电感240pH，加入电容，相噪随尾电容变化曲线。（3）固定电容265fF，二次谐波随尾电感变化曲线。结果会发现相噪随频率变化的谷值并未出现在计算的谐振点。而且以上分析过于理想，在实际版图中，VCO的共模信号并非直接通过尾谐振腔流向GND。 版图级VCO的共模回路提出问题 ...

网络拓扑结构经过3-4个月的学习、设备购买、系统与网络环境配置，小丸的家用网络拓扑结构基本形成。软件网络支出如下： 腾讯云服务器99/年 unraid系统6盘位版243 网络代理费120/年 域名83/年总支出545 腾讯云轻量应用服务器2G4核，50G存储，4Mbps带宽，公网ip；部署服务： hexo-blog 本地部署博客 wireguard 作为中转服务器内网穿透unraid设备，管理unraid frps 服务端，映射家庭设备内网端口到公网，飞牛os设备作为中转客户端 nginx 反向代理，转发公网端口至指定域名 UNRAID设备系统：UNRAID basic六盘位主板：畅网Q670 PLUSCPU：13500t内存：32G固态：4T显卡：盈通3050 6g lp机箱：ZSD2-V3部署docker服务： ...

LCVCO设计基本原理与指标仿真 基本原理能量存储电路为负跨导，提供能量；LC并联谐振，输出能量，产生正弦波。负跨导的大小决定了能否起振。从起振到稳定，MOS管跨导逐渐减小，一开始振荡，到负阻最终与并联电阻Rp相等，达到稳定状态。 特征指标相位噪声（1）定义：频率w0±Δw处的功率/载波频率w0处的功率（2） 来源一： NMOS管工作时，随着信号摆幅增大，VGS存在小于Vth的情况，因此Ids为开关特性，频域为离散单位脉冲调制函数。与MOS管漏源噪声卷积后，将二次谐波附近噪声搬移至谐振频率附近。 优化方法：加入二次谐波滤波器，减小二次谐波；差分架构，两个NMOS管尽可能匹配，提高共模抑制比。 来源二：MOS管寄生电容因电压变化产生的周期性噪声，为离散噪声相位脉冲传递函数，与连续低频噪声卷积，将其搬移至谐振频率附近。 ...